Depolab 200

性價比高

PECVD 等離子沉積機臺Depolab 200延續了帶有直接裝載裝置的平行板等離子源的設計。 

擴展性強

基于模塊化的設計，Depolab 200可以用增加更大的泵、低頻電源和附加氣路等方法升級。 

控制軟件 

控制軟件包括模擬用戶界面，參數窗口，工藝程序編輯器，數據記錄和用戶管理。 

Depolab 200是具有SENTECH平板電極設計優勢的PECVD機臺，可實現2至8寸晶圓及小樣品的標準工藝，并可通過升級滿足復雜工藝要求。 

Depolab 200在結構、可靠性和軟硬件靈活性上均有杰出的的設計。在此系統上研發出不同的工藝，例如高質量氧化硅和氮化硅膜工藝。Depolab 200由帶氣源箱的反應器、控制電路、計算機、初級泵和主接線箱組成。 

Depolab 200等離子沉積機臺適用于SiO2, SiNx, SiONx和a-Si薄膜的沉積，最高溫度為400°C。Depolab尤其適用于沉積刻蝕掩膜用介質膜、薄膜和介電膜的沉積。 

The Depolab 200可以通過用戶友好的SENTECH控制軟件界面進行遠程操作。