主要特點

l 經濟型臺式濺射系統

l 可集成5個1.5英寸共濺射靶

l 向上或向下濺射

l 沉積均勻性+/-2.5% @ 3" (75mm)基片

l 選配load-lock預真空室

l 基片加熱溫度850℃，旋轉速率0-40rpm，直流和射頻偏壓，50mmZ軸可調工作距離

l 真正的共焦沉積系統，滿足單層和多層薄膜沉積應用

l 可集成4路MFC氣路，可進行反應濺射

l 計算機控制或半自動控制

l 高真空或超高真空