AJA 國際公司的 ATC 系列多技術系統，通途廣泛，集成了多種沉積，刻蝕方式和單腔室內分析操作（混合系統）或多腔室內（多腔系統），以實現基片腔對腔內置傳送，并且不會破壞真空環境。

標準多技術系統裝置

 ATC-Orion UHV雙腔系統，帶通用預真空室

系統特點，濺射和蒸發工藝腔，帶 8 個 A320-O 2 " UHV 濺射靶，1 個 6 槽 15ccUHV 電子 槍，4 個熱阻濺射靶，可加熱至 850°C 基片加熱器，帶射頻偏壓電源，次級偏轉/冷卻/臺， RHEED，電腦控制，預真空室片盒，帶內置掩模交換系統，可容納直徑4英寸基片和腔對腔傳送系統。

ATC UHV 雙腔室

雙 UHV ATC 1800/2200（濺射/電子束）系統，帶 4 個 A320-XP 2 " UHV 濺射靶，可內置偏轉，2 個 4 槽 15ccUHV 線性電子槍。射頻離子源，1200l/s 渦輪分子泵，加熱至 850°C 旋轉基片加熱器，帶射頻偏壓電源，電腦控制盒通用頂點預真空室，可容納最大直徑 100mm 基片。

ATC 雙腔室，帶通用片盒預真空室

雙濺射系統由通用 6 卡槽片盒預真空室和真空箱連接而成。左邊腔室包漢口 7 個固定角度濺射源和 1.0 x 10_-8 極限真空。右邊腔室特點，一個完整的烘干罩，4 個內置偏轉濺射靶，一 個有柵極離子束源和 10_-10 極限真空。

ATC 雙腔室-濺射/脈沖激光沉積

右邊腔室是一個全功能的 ATC 2200 系統，帶 6 個 UHV 濺射靶，內置偏轉和可加熱至 850°C 基片加熱器，帶射頻偏壓電源，Z 軸移動和方位角旋轉。左邊腔室背部有激光，通過安全管道接入，還有一個 6 角靶材轉臺 PLD。此腔室還帶有一個 850°C 加熱器和高壓，兩個 不同泵控的 RHEED。由一個通用頂點預真空室連接。

單腔組合工藝系統

標準配置

ATC 1800-HY

集成了共聚焦濺射，一個 6 槽線性電子束濺射靶，離子刻蝕和一個可伸縮濺射靶，滿足短工作距離直流濺射（如 Nb 超導體）。此超高真空設備還能集成一個±200°偏轉樣品臺， 帶基片冷卻和方位角旋轉。

ATC 2030-HY

ATC Orion 8-E-HY

該設備功能強大，帶有一個直線型電子束源，一個3 英寸帶內置偏轉的超高真空濺射靶，和一個預真空室，可以匹配多種不同類型樣品托。